중국 유일의 노광장비 개발사인 국영 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE)가 네덜란드 ASML의 독점을 깰 특허를 출원했다고 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)가 13일 보도했다.
SCMP는 중국 기업정보 사이트 치차차를 인용해 SMEE가 지난해 3월 출원한 ‘극자외선(EUV) 방사선 발생기 및 리소그래피 장비’ 특허가 지난 10일 공개됐으며 여전히 중국국가지식재산권국이 심사를 진행 중이라고 전했다.
이어 “해당 특허는 SMEE가 중국 반도체 산업 아킬레스건으로 여겨지는 EUV 리소그래피를 어떻게 발전시키고 있는지를 보여준다”며 “수년 간의 노력에도 SMEE는 28㎚(나노미터, 1㎚는 10억분의 1m) 이하 공정에 사용할 수 있는 노광장비의 안정적인 양산에서 ASML에 뒤처져 있다”고 설명했다.
 | | 사진=게티이미지뱅크 제공 |
노광장비는 반도체 기판(실리콘 웨이퍼)에 고도로 복잡한 회로 패턴을 새겨넣는 기술이다.
현재 세계 극자외선 노광장비 시장을 독점하다시피 하는 ASML은 2019년부터 대(對)중국 수출에 제한을 받고 있다.
특히 7㎚ 이하 반도체 생산에 필요한 최첨단 노광장비는 ASML만 생산이 가능하다.
중국 노광장비 시장 역시 99%가 ASML과 일본의 니콘·캐논이 장악하고 있다.
이런 상황에서 SMEE는 2022년 12월 미국 정부 블랙리스트에 올라 특정 미국 기술에 대한 접근이 막혔다.
SCMP는 “새롭게 드러난 SMEE의 노광장비 특허 출원은 미국 제재에도 중국 기업들이 자국 첨단 노광장비 시장에서 어떻게 발전할 수 있는지를 보여준다”며 “중국에서 극자외선 노광장비를 생산하는 것은 ASML의 독점을 깨는 것”이라고 의미를 부여했다.
미국이 중국 반도체 굴기를 저지하기 위해 각종 수출 규제를 단행하면서 중국 반도체 산업은 직격탄을 맞았지만 이런 규제가 오히려 중국이 자체 기술 개발에 매진하도록 이끌었다는 지적이 나오고 있다.
앞서 지난 4월 SCMP는 소식통을 인용해 중국 나우라테크놀로지가 ASML의 최첨단 극자외선 노광장비 없이 5㎚ 반도체를 생산하는 기술에 진전을 이뤘다고 보도한 바 있다.
베이징=이우중 특파원 lol@segye.com
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