삼성전자와 SK하이닉스가 낸드 플래시 업계 주요 행사인 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2024'에 참가한다.

24일 업계에 따르면 삼성전자, SK하이닉스는 다음 달 6∼8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열리는 FMS 2024에서 기조연설을 하는 동시에 최신 제품도 선보일 예정이다.

기조연설 때 삼성전자에서는 짐 엘리엇 미주총괄 부사장, 오화석 솔루션 제품 엔지니어링팀 부사장, 송택상 메모리사업부 D램 솔루션 팀 상무가 'AI 혁명: 메모리 및 스토리지에 대한 새로운 수요 증가'를 주제로 연단에 오른다.
SK하이닉스에서도 HBM과 SSD 개발을 담당하는 권언오 부사장과 김천성 부사장이 나선다.

올해로 18주년을 맞는 FMS는 매년 플래시 메모리 반도체 업체들과 스타트업, 업계 관계자 등이 참석해 신기술·제품과 시장 트렌드를 공유하는 자리다.
올해 행사에는 일본 키옥시아, 미국 웨스턴디지털, 마이크론 등 글로벌 메모리 업체들도 대거 참여한다.

'메모리와 스토리지의 미래'(the Future of Memory and Storage)를 주제로 열리며 D램, 낸드 등 자동차·데이터센터 및 인공지능(AI) 관련 대용량·고성능 제품이 대거 전시될 예정이다.
특히 FMS가 낸드 중심의 행사인 만큼 이와 관련한 낸드 신제품 및 신기술 발표도 예상된다.

앞서 삼성전자는 지난해 이 행사에서 PCIe 5.0 데이터센터용 솔리드스테이드드라이브(SSD) 'PM9D3a'를 처음 공개했다.
SK하이닉스는 업계 최초 300단 이상 낸드 제품인 '321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드' 샘플을 선보여 주목받았다.

AI가 급성장하면서 낸드는 물론 D램의 중요성도 커진 만큼 업체들은 이번 행사에서 최신 고대역폭 메모리(HBM) 등 D램 제품과 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 기술도 중점적으로 소개한다.
삼성전자는 CXL 기술을 기반으로 한 메모리 제품 CMM-D(CXL 메모리 모듈-D램), CMM-B(박스), CMM-H(하이브리드)와 HBM3E, DDR5 등을 선보인다.
CXL은 대역폭을 확장해 처리용량을 쉽게 넓힐 수 있는 기술이다.
SK하이닉스는 321단 낸드 제품과 함께 HBM3E, CXL 등 다양한 제품 포트폴리오를 전시할 계획이다.

또 삼성전자와 SK하이닉스는 기조연설을 통해 AI 메모리 시장에 대한 통찰력을 전하고, AI 애플리케이션(응용처) 전반에 걸친 최첨단 스토리지 솔루션을 소개한다.