삼성전자, SK하이닉스, 파두 등 국내 주요 메모리 기업이 세계 최대 낸드 플래시 연례행사에서 자사 인공지능(AI) 메모리 로드맵을 발표한다.
나날이 커지는 초거대 AI 모델 사이즈에 대응하기 위해 데이터 처리속도·저장공간 확대를 위한 차세대 입출력(I/O) 전환에 관한 논의도 함께 이뤄질 전망이다.
5일 반도체 업계에 따르면 세 회사는 오는 6~8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열리는 메모리 반도체 행사인 FMS(플래시메모리서밋) 2024에 참가해 AI 메모리 관련 기술과 제품을 시연한다.
FMS는 지난해까지는 낸드 제품 위주로 행사를 진행했으나, AI 시대를 맞이해 차세대 D램 등으로 행사 영역을 확장했다.
행사 이름도 앞으로 플래시메모리서밋 대신 '미래 메모리와 저장장치(Future Memory and Storage)'로 바꾸기로 했다.
삼성전자와 SK하이닉스는 글로벌 양대 D램·낸드 기업으로서 차세대 AI 메모리를 주제로 키노트를 진행한다.
 
삼성전자는 짐 엘리엇, 오화석 부사장과 송택상 상무를 키노트 연사로 전진 배치했다.
AI 모델·서비스 규모가 나날이 커지는 상황에서 낸드의 발열·전력소모를 줄이면서 저장공간을 확대하는 방법과 256GB(기가바이트) RDIMM/512GB MRDIMM(서버용 메모리) 및 CXL 3.1 메모리 모듈과 같은 최신 D램 기술을 공개할 전망이다.
특히 삼성전자는 9세대 V낸드 QLC(4비트셀) 기반 기업용 SSD(eSSD) 기술·양산 능력을 강조할 것으로 예측된다.
글로벌 클라우드 기업과 빅테크를 중심으로 하드디스크드라이브(HDD)를 대체하기 위한 기업용 SSD 수요가 급증하는 상황에서 삼성전자는 올 1분기 점유율 47.4%로 경쟁사와 초격차를 유지하고 있다.
또 삼성전자는 이번 행사에서 엔비디아·슈퍼마이크로와 AI 처리능력 향상을 위해 차세대 낸드에 필요한 조건을 주제로 공동세션을 진행한다.
SK하이닉스는 낸드 담당인 김천성 부사장과 함께 HBM(고대역폭 메모리) 담당인 권언오 부사장을 키노트 연사로 배치하며 최신 낸드와 함께 HBM 리더십을 강조할 예정이다.
행사에선 올 3분기 양산 예정인 12단 HBM3E(5세대) D램과 내년 상반기 양산을 목표로 하는 321단 낸드 샘플을 최초 공개한다.
SK하이닉스는 메모리 업계에서 두각을 나타내고 있는 여성 리더들을 알리고자 ‘FMS 슈퍼우먼 콘퍼런스도 올해 공동 스폰서로 참여하기로 했다.
행사에서 SK하이닉스 최초 여성 연구위원인 오해순 부사장이 ‘SK하이닉스의 미래 기술 혁신과 다양성에 대한 이해’를 주제로 발표도 한다.
기업용 SSD 컨트롤러를 만드는 파두는 이번 행사에서 메타, WD(웨스턴디지털) 등과 협업해 초거대 AI를 위한 대규모 데이터 저장 시스템 구축 방안에 관해 발표할 것으로 알려졌다.
파두는 안정적인 매출원 확보를 위해 빅테크 및 글로벌 낸드 업체와 사업 협력을 확대하고 있는데, 이번 키노트를 통해 그 구체적인 성과가 공개될 전망이다.
기업용 SSD 시장에서 삼성전자·SK하이닉스(솔리다임 포함)에 밀려 고전하고 있는 키옥시아와 WD도 데이터 전송속도 향상과 대규모 저장 시스템 구축을 위한 신기술을 발표하며 반격을 모색한다.
업계에선 올해 FMS 행사에서 CXL D램·낸드 확대와 6세대 PCI 익스프레스(PCIe 6.0) 전환 등 차세대 입출력에 관한 기업 간 논의가 활발해질 것으로 보고 있다.
이를 통해 기가바이트 단위에 머무르던 개별 서버 D램 규모를 테라바이트(TB)급으로 확장하고, 데이터 저장속도도 초당 256GB로 전보다 두 배 이상 빨라질 것으로 기대된다.
차세대 입출력에 최적화한 최신 D램·낸드 수요도 급증할 전망이다.