삼성전자는 31일 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 "내년 선단 공정에 기반한 차별화 제품에 집중해 수익성 위주의 사업 포트폴리오 경쟁력을 준비할 것이다"며 "D램의 경우 HBM3E 판매를 더욱 확대할 계획이며, HBM4의 경우 내년 하반기 개발 및 양산 진행 예정이다"고 밝혔다.
특히 "레거시 라인에서의 1b(10나노 5세대 공정) 나노 전환을 가속화해 시장 내 경쟁이 심화되고 있는 구공정 기반의 DDR4, LPDDR4의 비중을 줄이고, 서버향 128기가바이트(GB) 이상 DDR5 모듈, 모바일 PC 서버향 LPDDR5X 등 하이엔드 제품의 비중을 적극적으로 확대할 계획이다"고 설명했다.
이어 "낸드의 경우 서버 SSD의 판매를 확대하는 가운데 64 테라바이트(TB), 128 TB SSD를 포함한 QLC 제품 기반 고용량 제품 트렌드에 적극 대응할 예정이다"고 덧붙였다.
아주경제=김민우 기자 markkim@ajunews.com
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