 | | SK하이닉스가 12일 2세대 10나노급 미세공정을 적용한 8Gbit DDR4 D램 개발을 완료하고, 내년 1분기부터 공급에 나선다고 밝혔다. /SK하이닉스 제공 |
SK하이닉스, '1y 나노' 시장 선점 속도전 "시장 수요 적극 대응"
[더팩트 | 서재근 기자] SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발, 내년 1분기부터 공급에 나선다고 12일 밝혔다. 2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 개선된 것은 물론 전력 소비도 15% 이상 줄여 전력 효율도 높였다는 게 회사 측의 설명이다. 또한 데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적인 구현이 가능하다. 특히, SK하이닉스는 해당 제품에 데이터 전송 속도 향상을 위해 '4Phase Clocking' 설계 기술을 적용했다. '4Phase'는 주기를 4등분해 Clock 신호를 늘려 동작 마진을 확보하는 기술로 제품 동작 속도를 높이고 오류를 줄인다. 'Clocking'은 데이터 전송 시 보내고 받는 송수신 데이터를 동기화하기 위한 방법이다. SK하이닉스가 적용한 '4Phase Clocking' 설계 기술은 데이터 전송 시 주고받는 신호를 기존대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 개선한 것으로 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 것과 같다. 또한 SK하이닉스는 전력 소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 '센스 앰프 제어 기술'도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장되어있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 '센스 앰프'의 성능을 강화하는 기술이다. 김석 SK하이닉스 DRAM마케팅담당 상무는 "이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극적으로 대응할 것이다"고 밝혔다. 한편 SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 걸쳐 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나간다는 계획이다. likehyo85@tf.co.kr | 
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