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미국 정부가 3억달러 미만 반도체 소재·장비 제조시설 투자에 대해 투자액의 10%를 인센티브로 지원한다는 계획을 츠가 공개했다.
산업통상자원부에 따르면 29일 미 상무부는 이날 오후6시(한국시간) 반도체법상 인센티브 프로그램 중 3억달러 미만 소재·장비 제조시설 투자에 대한 인센티브의 세부 지원계획(NOFO)을 공고했다.
반도체법에 따라 미 상무부에서 운영하는 재정 인센티브는 ▲반도체 제조시설 ▲반도체 소재·장비 제조시설 ▲연구개발(R&D) 시설 투자에 대한 지원으로 구성돼 있다.
이번 공고는 지난 ▲반도체 제조시설 ▲웨이퍼 제조시설 및 3억달러 이상 소재·장비 제조시설 투자에 대한 세부 지원계획에 이어서 세 번째로 발표된 세부 지원계획이다.
R&D 시설 투자에 대해서는 추후 발표될 예정이다.
미 상무부는 금번 공고를 기존의 세부 지원계획과 별도의 문서로 공고했다.
소규모 투자를 대상으로 함을 고려해 기존에 발표된 지원기준 및 절차를 다소 완화하거나 변경했다.
이에 따라 대출(보증)은 제외하고 직접보조로 지원하며, 지원 규모는 일부 예외는 있으나 투자액의 10%를 지원한다.
또 요구조건에 있어서도 미 상무부는 반도체 제조설비와의 연계 등을 통한 공급망 강화를 강조하는 한편, 초과이익 공유, 보육서비스 제공 의무 등의 요건은 제외됐다.
신청절차도 변경돼 신청기업들은 계획서를 제출하고 동 계획서를 기반으로 미 상무부가 선정한 기업들이 별도의 본 신청을 진행한다.
다만 지난 22일 발표된 가드레일 세부 규정 최종안에 따르면 소재 및 장비 제조시설 투자는 중국 내 설비확장 제한을 적용받지 않는다.
우리 업계는 금번 공고를 바탕으로 미 상무부의 인센티브 프로그램 구체 검토, 대응하겠다는 입장이다.
정부도 금번 공고가 업계에 미치는 영향을 업계와 긴밀히 논의하고, 우리 기업의 원활한 투자·경영활동을 지원하기 위해 미 정부와 협력해 나갈 계획이다.
주상돈 기자 don@asiae.co.kr
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