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삼성전자가 개발비만 4조원을 투입한 반도체 핵심 기술을 중국으로 빼돌려 현지 양산을 시도한 삼성전자 전직 임직원 2명이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.
 27일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 중국 반도체회사 대표 최모씨(66)와 개발실장 오모씨(60) 등 2명을 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소했다고 밝혔다.
두 사람은 삼성전자에서 핵심 연구인력으로 근무한 이력이 있다.
특히 최씨는 삼성전자 임원을 거쳐 SK하이닉스 부사장까지 지내는 등 국내 반도체 제조 분야에서 30여년을 일하며 최고 전문가로 꼽혔던 인물이다.
최씨와 오씨는 국가핵심기술로 분류되는 D램 반도체 공정기술을 부정 사용한 혐의를 받는다.
글로벌 반도체 회사들도 통상 4~5년이 소요되는 20나노 D램 반도체 공정기술을 불과 1년 6개월 만에 개발, 중국에서 2번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공했다.
이 과정에서 중국 지방정부로부터 4000억원을 투자받기도 했다.
만약 이들이 최종 양산에 성공했을 경우 그 피해는 최소 수십조원에 달했을 것으로 예상된다.
서울경찰청에서 사건이 송치된 이후 검찰 추가 수사를 통해 최씨가 중국 반도체 회사 지분 860억원 상당을 받고 보수 명목으로 18억원의 범죄수익을 취득한 사실도 밝혀냈다.
또 피고인들이 설립한 중국 반도체 회사가 조직적으로 범행을 계획·실행했다는 사실을 확인해 해당 회사도 추가 기소했다.
검찰 관계자는 "피해기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 적극 엄정 대응하겠다"고 말했다.
손선희 기자 sheeson@asiae.co.kr
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